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第二个峰的d间距几乎是第一个峰的两倍，科技这表明这两个峰都属于同一个衍射面族。第二个最高的峰出现在2.2Å附近，创新可归于Sn-Cl化学键，说明在大量Cl-存在的情况下沉积的SnO2含有大量直接与Sn阳离子结合的Cl-离子。

为了探究Cl-bSO是否是FASnClx中间层形成的关键因素，规网技本工作采用表面敏感掠入射XAFS方法研究了SnO2与FAPbI3钙钛矿界面附近。因此，划开混合我们在FTO上沉积了Cl-bSOETL，在乙醇中溶解SnCl2·2H2O或去离子水中溶解SnCl4后，采用旋涂或化学浴沉积。该器件在500小时后，展交直流主动保持了约90%的初始效率，与其他高效PSCs相当。

这一结果可能为PSCs高效、配电稳定的光电极制备和设计提供新的策略。作为比较，山东术研图2b显示了将Cl-cPP溶液应用于异丙醇溶解的Sn(IV)异丙醇和SnK边XAFS的傅里叶变换特征。

总之，科技本工作发现在Cl-bSO电极上包覆Cl-cPP制备钙钛矿薄膜时，钙钛矿与电极之间形成了结晶厚度约为2nm的FASnClx中间层。

成果简介近日，创新来自韩国浦项科技大学MinGyuKim和韩国蔚山国立科学技术院TaeJooShin、创新SangIlSeok课题组，报道了钙钛矿薄膜和用含Cl的FAPbI3钙钛矿前驱体(Cl-cPP)溶液涂覆的Cl-键合SnO2 (Cl-bSO)电极之间的相干夹层的形成。规网技三所高校自建国以来就是材料科学与工程人才重要培养基地（尤其是金属材料方面）。

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